TLP626

Symbol Micros: OOTLP626
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 100-1200% Vce 300mV Uiso 5,0kV TLP626(F)
Parametry
CTR: 100%~1200%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 55V
Producent: Toshiba Symbol producenta: TLP626(F) RoHS Obudowa dokładna: PDIP04 karta katalogowa
Stan magazynowy:
65 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,9700 2,6400 2,1800 1,9700 1,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
CTR: 100%~1200%
Obudowa: PDIP04
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 55V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta