NX3020NAKW

Symbol Micros: TNX3020nakw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3020NAKW,115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13Ohm
Maksymalny prąd drenu: 180mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT323
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: NX3020NAKW,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8930 0,4880 0,3710 0,2890 0,2550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 13Ohm
Maksymalny prąd drenu: 180mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SOT323
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD