STP80NF12 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP80NF12
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 120V; 20V; 18mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 120V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP80NF12 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
145 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
cena netto (PLN) 8,4800 6,5100 5,7900 5,5400 5,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/300
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 120V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT