FM24C04B-G

Symbol Micros: PEE24c04ag
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
8-bit Memory IC; 512b-FRAM; 4,5~5,5V; 1MHz; TWI; -40~85°C; Odpowiednik: FM24C04A-G; FM24C04B-GTR;
Parametry
Zakres napięcia zasilania: 4.5~5.5V
Obudowa: SOP08
Pamięć RAM: 512B
Częstotliwość: 1,000MHz
Producent: Cypress
Architektura: 8-bit
Interfejs SPI: NIE
Producent: Cypress Symbol producenta: FM24C04B-GTR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,7800 5,3800 4,5800 4,2000 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Producent: Cypress Symbol producenta: FM24C04B-GTR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
330 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,7800 5,3800 4,5800 4,2000 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Zakres napięcia zasilania: 4.5~5.5V
Obudowa: SOP08
Pamięć RAM: 512B
Częstotliwość: 1,000MHz
Producent: Cypress
Architektura: 8-bit
Interfejs SPI: NIE
Interfejs TWI (I2C): TAK
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 85°C
Interfejs CAN: NIE
Interfejs CRYPT: NIE
Interfejs ETHERNET: NIE
Interfejs UART/USART: NIE
Interfejs USB: NIE
Przetwornik A/D: NIE
Przetwornik D/A: NIE
Opis szczegółowy

Wybrane właśœciwośœci:

- pojemnośœć: 4Kbit; - organizacja: 8-bitowa; - dostęp szeregowy: interfejs 2-Wire/SPI; - częstotliwośœć zegara interfejsu: 1/20MHz; - okres niezmiennoœści danych umieszczonych w pamięci: min. 10 lat; - brak oczekiwania na operację typu zapis/odczyt (NoDelay™ Writes); - pobór prądu: a) w stanie aktywnym: max. 200µA; b) w trybie standby: max. 10µA; - kompatybilnośœć z pamięciami EEPROM; - napięcie zasilania:4.5÷5.5V - temperatura pracy: -40÷85°C; - dostępne w obudowie: SOP08.

Pamięć FRAM zbudowana jest z materiału ferroelektrycznego o nazwie PZT (związek ołowiu, cyrkonu i tytanu), którego cechuje możliwośœć zapamiętania jednego z dwóch kierunków pola elektrycznego. Do zapamiętania informacji wykorzystuje się efekt ferroelektryczny - pod wpływem działania pola elektrycznego następuje trwała zmiana polaryzacji cząstek. Nieobecnośœć pola elektrycznego nie powoduje zmiany polaryzacji. Komórkę pamięci można sobie wyobrazić jako kondensator z materiałem ferroelektrycznym jako dielektrykiem, ładowany na przemian napięciem o przeciwnej polaryzacji. Poprzez zmianę polaryzacji ładunków w takim kondensatorze można zapamiętać dwa stabilne stany odpowiadające stanom logicznym „0” i „1”.

Pamięci FRAM nazywane są nieulotnymi pamięciami RAM. Łączą w sobie zalety pamięci o dostępie swobodnym RAM oraz pamięci tylko czytanych ROM. Charakteryzują się możliwoœcią szybkiego odczytu i zapisu, nieograniczoną iloœcią cykli zapis/kasowanie a jednoczeœnie nieulotnoœcią danych - wyłączenie napięć zasilających nie powoduje utraty zapamiętanej informacji; odœwieżanie informacji nie jest konieczne. Pamięci FRAM stosowane są tam, gdzie wymagana jest duża szybkośœć pracy, niski pobór prądu oraz bezpieczeństwo danych.