IRF530PBF
Symbol Micros:
TIRF530pbf
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160mOhm; 14A; 88W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 88W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF530 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
390 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2000 | 2,7900 | 2,1600 | 2,0900 | 2,0000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 88W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |