4N25-300E AVAGO

Symbol Micros: OO4N25-300e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP06smd
pojedynczy, CTR 20%, Vce 30V, Uiso 2,5kV, Transistor with Base 4N25-300E (TUBE), 4N25-500E (T&R)
Parametry
CTR: 20%
Obudowa: DIP06smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 2500V
Napięcie wyjściowe: 30V
Producent: BROADCOM Symbol producenta: 4N25-300E RoHS Obudowa dokładna: PDIP06smd  
Stan magazynowy:
14 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4400 1,8100 1,3500 1,1300 1,0600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
CTR: 20%
Obudowa: DIP06smd
Typ wyjścia: Transistor with Base
Napięcie izolacji: 2500V
Napięcie wyjściowe: 30V