Tranzystory polowe (wyszukane: 2003)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    67
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
STB75NF75LT4 Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 10mOhm; 120A; 370W; -55°C~175°C; STB75NF75LT4-VB; CMB75NF75; HT75NF75;
STB75NF75LT4 TO263
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
N-MOSFET 80V 20V 10mOhm 120mA 370mW THT -55°C ~ 175°C TO263 VBSEMI ELEC
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-30
Ilość szt.: 1
                   
2N7002 SOT23 DIOTEC SEMICONDUCTOR Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23 2N7002-DIO;
2N7002 SOT23 DIOTEC SEMICONDUCTOR SOT23
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-22
Ilość szt.: 6000
                   
IRF7406 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7406TR; IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF9335PBF; IRF7406PBF-GURT;
IRF7406 SOP08
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW9435AS RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5390 0,3250 0,2570 0,2370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 70mOhm 5,8A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 YFW
SUD50P04-09L-E3 Tranzystor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C;
SUD50P04-09L-E3 TO252
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
SUD50P04-09L-E3-VB RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,5700 3,9000 3,3100 3,0300 2,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET -40V 20V 20mOhm -50A 136W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBsemi
IRFR5505 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 8,5A; 60W; -55°C~175°C;
IRFR5505 TO252
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
P-MOSFET 60V 20V 110mOhm 8,5A 60W THT -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-25
Ilość szt.: 500
                   
IRFR3910 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 100mOhm; 14,7A; 34,7W; -55°C~150°C;
IRFR3910 TO252
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
N-MOSFET 100V 20V 100mOhm 14,5A 34,7W THT -55°C ~ 150°C TO252 TECH PUBLIC
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-25
Ilość szt.: 200
                   
IRFR5410 Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C;
IRFR5410 TO252
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
IRFR5410 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4500 2,0400 1,8100 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 210mOhm 13A 66W SMD -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
IRFR024N Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 25A; 50W; -55°C~175°C;
IRFR024N TO252
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
N-MOSFET 60V 20V 33mOhm 25A 50W SMD -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-25
Ilość szt.: 500
                   
IRFR3709Z Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5mOhm; 90A; 181W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFR3709ZTRRPBF; IRFR3709ZTRPBF;
IRFR3709Z TO252
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
IRFR3709Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1600 1,7200 1,5500 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 5mOhm 90A 181W THT -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
IRFR9120N Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~150°C;
IRFR9120N TO252
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
P-MOSFET 100V 20V 110mOhm 13A 66W THT -55°C ~ 150°C TO252 TECH PUBLIC
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-25
Ilość szt.: 100
                   
STB75NF75T4 Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 10mOhm; 65A; 120W; -55°C~150°C;
STB75NF75T4 TO263
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
N-MOSFET 80V 20V 10mOhm 65A 120W SMD -55°C ~ 150°C TO263 VBsemi
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-30
Ilość szt.: 1
                   
IRF9910TRPBF Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TRPBF-VB;
IRF9910TRPBF SOP08
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
IRF9910TRPBF-VB RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5900 2,2500 1,8700 1,6700 1,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 1,3Ohm 10A 2,7W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VBS
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-30
Ilość szt.: 100
                   
AO3422 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
AO3422 SOT23
Producent:
MSKSEMI
Symbol Producenta:
AO3422 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9070 0,4960 0,3250 0,2810 0,2590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 12V 120mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MSK
AOD4130 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB;
AOD4130 TO252 (DPACK) t/r
Producent:
HXY
Symbol Producenta:
AOD4130-HXY RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 2,0300 1,2200 0,9610 0,8570 0,8110
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 38mOhm 30A 34,7W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) t/r HXY MOSFET
IRLML0100 SOT23-3 KEXIN SOT23
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-30
Ilość szt.: 3000
                   
IRLML6402 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 75mOhm; 3,2A; 1,7W; -55°C~150°C;
IRLML6402 SOT23
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
P-MOSFET 20V 12V 75mOhm 3,2A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KEXIN
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-30
Ilość szt.: 3000
                   
IRLR8726 TO252 RoHS Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 181W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP0015528
IRLR8726 TO252 RoHS TO252 (DPACK)
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
IRLR8726 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1400 0,8760 0,7880 0,7610
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 7,5mOhm 90A 181W SMA -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) TECH PUBLIC
NTD5867N Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
NTD5867N TO252
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
NTD5867NLT4G RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0100 1,6100 1,4400 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 33mOhm 20A 50W THT -55°C ~ 150°C TO252 TECH PUBLIC
AO3400 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 35mOhm; 30A; 1,5W; -55°C~150°C;
AO3400 SOT23
Producent:
GOODWORK
Symbol Producenta:
AO3400 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5880 0,2700 0,1470 0,1100 0,0980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 35mOhm 30A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 GOODWORK
SI3420A-TP Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 35mOhm; 6A; 1,25W; -55°C~150°C; (podobny do SI3420A-13P)
SI3420A-TP SOT23
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol Producenta:
SI3420A-TP RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0900 0,5760 0,4470 0,4120 0,3950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 35mOhm 6A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MCC
SI2308BDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
SI2308BDS SOT23
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
SI2308BDS RoHS E8.
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
cena netto (PLN) 1,2300 0,7840 0,5680 0,4860 0,4480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 105mOhm 3A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
8205A Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
8205A TSSOP08
Producent:
JINGDAO
Symbol Producenta:
NM8205A RoHS
Obudowa dokładna:
TSSOP08 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9240 0,4370 0,2450 0,1850 0,1680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 27mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 HXY MOSFET
 
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
8205A RoHS
Obudowa dokładna:
TSSOP08 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6800 0,4460 0,3850 0,3550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 27mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 HXY MOSFET
AO3420 SOT23-3L Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3420 SOT23-3L SOT23
Producent:
HOTTECH
Symbol Producenta:
AO3420 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9080 0,4280 0,2380 0,1910 0,1650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
SH8JB5 Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JB5TB1;
SH8JB5 SOP08
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
SH8JB5TB1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 11,3600 9,2500 8,0200 7,4400 7,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 16V 15,3mOhm 8,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ROHM
BSS131 Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327;
BSS131 SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
BSS131 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,5270 0,3500 0,2920 0,2720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 14Ohm 100mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
 
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BSS131 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,5270 0,3500 0,2920 0,2720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 14Ohm 100mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-06-30
Ilość szt.: 6000
                   
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-04-30
Ilość szt.: 3000
                   
WPM2015 SOT23 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
WPM2015 SOT23 SOT23
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
WPM2015-3/TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9350 0,4410 0,2460 0,1970 0,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 110mOhm 2,4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
 
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
WPM2015-HXY RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9860 0,4940 0,2940 0,2440 0,2190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 110mOhm 2,4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
2SK3878 TOSHIBA Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S)
2SK3878 TOSHIBA TO 3P
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SK3878(STA1,E,S) RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 10,7700 8,8700 8,0800 7,7700 7,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 9A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Toshiba
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-15
Ilość szt.: 500
                   
IRF7853 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7853PBF; IRF7853TRPBF;
IRF7853 SOP08
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF7853TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,3300 6,6000 5,6200 5,1600 4,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 18mOhm 8,3A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
IRLML2502TRPBF HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502TRPBF HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5660 0,3420 0,2700 0,2490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 40mOhm 6A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
IRLML2502TRPBF JGSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLML2502TRPBF; SP001558336;
IRLML2502TRPBF JGSEMI SOT23
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
IRLML2502TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4530 0,2730 0,2160 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 4A 1,56W SMD -55°C ~ 125°C SOT23 JGSEMI
1  2  3  4  5  6  7  8  9    67

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.