2N5401 DIOTEC

Symbol Micros: T2N5401 DIOTEC
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General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

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Parameter
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 400MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N5401 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,0950 0,0377 0,0221 0,0162 0,0146
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Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N5401 Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0148
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 400MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: DIOTEC
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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