2N5551 JSMICRO

Symbol Micros: T2N5551 JSM
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Gehäuse: TO92
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Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: JSMICRO
Grenzfrequenz: 300MHz
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2N5551 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1041 0,0414 0,0243 0,0179 0,0160
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 300
Hersteller: JSMICRO
Grenzfrequenz: 300MHz
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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