2SA1943-O
Symbol Micros:
T2SA1943o
Gehäuse: 2-21F1A
Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: | 150W |
Grenzfrequenz: | 30MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 160 |
Hersteller: | TOSHIBA |
Gehäuse: | 2-21F1A |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 15A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 230V |
Hersteller: Toshiba
Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q) RoHS
Gehäuse: 2-21F1A
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,2145 | 1,7570 | 1,5895 | 1,5023 | 1,4763 |
Hersteller: Toshiba
Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q)
Gehäuse: 2-21F1A
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6761 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2SA1943OTU
Gehäuse: 2-21F1A
Externes Lager:
340 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,4053 |
Verlustleistung: | 150W |
Grenzfrequenz: | 30MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 160 |
Hersteller: | TOSHIBA |
Gehäuse: | 2-21F1A |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 15A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 230V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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