2SA1943-O

Symbol Micros: T2SA1943o
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: 2-21F1A
Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 150W
Grenzfrequenz: 30MHz
Stromverstärkungsfaktor: 160
Hersteller: TOSHIBA
Gehäuse: 2-21F1A
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 230V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q) Gehäuse: 2-21F1A  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 2,0405
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2SA1943OTU Gehäuse: 2-21F1A  
Externes Lager:
340 stk.
Anzahl Stück 25+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 2,4313
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2SA1943OTU Gehäuse: 2-21F1A  
Externes Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 2,4914
Standard-Verpackung:
375
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 150W
Grenzfrequenz: 30MHz
Stromverstärkungsfaktor: 160
Hersteller: TOSHIBA
Gehäuse: 2-21F1A
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 230V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP