2SD2560 JSMICRO

Symbol Micros: T2SD2560 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
NPN Darlington-Transistor; 5000; 130W; 150V; 15A; 70MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 130W
Grenzfrequenz: 70MHz
Stromverstärkungsfaktor: 5000
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2SD2560 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8237 1,3528 1,1544 1,0875 1,0732
Standard-Verpackung:
30
Verlustleistung: 130W
Grenzfrequenz: 70MHz
Stromverstärkungsfaktor: 5000
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN