AO3407 HXY MOSFET

Symbol Micros: TAO3407 HXY
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Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,32W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: AO3407 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1616 0,0768 0,0432 0,0327 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 98mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,32W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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