AP2311GN JGSEMI

Name: TAP2311gn-hf-3 JGS TAP2311gn-hf-3 JGS
Brand: JGSEMI
SKU: TAP2311gn-hf-3JGS
Price: 0.0585 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TAP2311gn-hf-3 JGS

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 2A; 1,56 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: AP2311GN-HF-3;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	240mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: AP2311GN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2631	0,1330	0,0803	0,0634	0,0585

Widerstand im offenen Kanal:	240mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,56W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 125°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2842	0,1508	0,1170	0,1078	0,1034

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2842	0,1508	0,1170	0,1078	0,1034

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2842	0,1508	0,1170	0,1078	0,1034