BC337-25 LGE

Symbol Micros: TBC33725cd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
NPN 800mA 45V 625mW 200MHz 160 < beta < 400 NPN 800mA 45V 625mW 200MHz 160 < beta < 400

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Parameter
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 210MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92bul
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC337-25 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
22 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0794 0,0315 0,0185 0,0136 0,0122
Standard-Verpackung:
1000/10000
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 210MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92bul
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN