BC807-16LT1G

Symbol Micros: TBC80716 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC807-16LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2860 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1219 0,0560 0,0305 0,0227 0,0203
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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