BC807-16LT1G

Symbol Micros: TBC80716 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC807-16LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2860 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1252 0,0575 0,0314 0,0234 0,0209
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC807-16LT3G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
1560000 stk.
Anzahl Stück 20000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0209
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC807-16LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0209
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP