BC807-40 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC80740 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PNP-Transistor; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC807-40,215; BC807-40,235; BC807-40LT1G; BC807-40LT3G; BC807-40E6327; BC807-40E6433; BC807-40 RFG; BC807-40-7-F; BC807-40-TP;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BC807-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0674 0,0259 0,0127 0,0101 0,0096
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole