BC817-16 GALAXY
Symbol Micros:
TBC81716 GAL
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Hersteller: | GALAXY |
Grenzfrequenz: | 170MHz |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Verlustleistung: | 300mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Hersteller: | GALAXY |
Grenzfrequenz: | 170MHz |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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