BC817-25 GALAXY

Symbol Micros: TBC81725 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 170MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BC817-25 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3900 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0813 0,0315 0,0153 0,0122 0,0116
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 170MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN