BC847BS GALAXY

Symbol Micros: TBC847bs GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor 2xNPN; 450; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC847BS,115; BC847BS,135; BS847BS-FAI; BC847BS-7-F; BC847BS-13-F; BC847BS-TP;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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