BC847CE6327 INF

Symbol Micros: TBC847c inf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive

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Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847CE6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1216 0,0557 0,0304 0,0227 0,0203
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847CE6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
87000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0252
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847CE6433HTMA1 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
50000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0252
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN