BC850C JSMICRO

Symbol Micros: TBC850c JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN-Transistor; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC850C,215; BC850C,235; BC850CLT1G; BC850CE6327HTSA1; BC850CE6359HTMA1; BC850CW RFG;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC850C RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0701 0,0270 0,0132 0,0105 0,0100
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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