BC856B smd NXP
Symbol Micros:
TBC856b
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475
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Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
Hersteller: | NXP |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Verlustleistung: | 250mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
Hersteller: | NXP |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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