BC856B smd NXP

Symbol Micros: TBC856b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475

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Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC856B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
14424 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0792 0,0313 0,0183 0,0134 0,0122
Standard-Verpackung:
3000/57000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP