BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TBC857c ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC857CLT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1064 0,0420 0,0244 0,0179 0,0164
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP