BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR
Symbol Micros:
TBC857c ONS
Gehäuse: SOT23-3
PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 3-Pin SOT-23
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Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC857CLT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1066 | 0,0420 | 0,0244 | 0,0179 | 0,0164 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC857CLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0164 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC857CLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
255996 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0164 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC857CLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0164 |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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