BC858CLT1G ONS

Symbol Micros: TBC858c ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23 Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC858CLT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0785 0,0302 0,0147 0,0117 0,0112
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC858CLT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
138000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0116
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC858CLT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0116
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC858CLT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
429000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0127
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP