BC858CLT1G ONS
Symbol Micros:
TBC858c ONS
Gehäuse: SOT23-3
Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23 Transistor : PNP; Bipolar; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC858CLT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0785 | 0,0302 | 0,0147 | 0,0117 | 0,0112 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC858CLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
138000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0116 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC858CLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0116 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC858CLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
429000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0127 |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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