BCP5616TA

Symbol Micros: TBCP5616 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5616TA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
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180 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2287 0,1144 0,0683 0,0564 0,0508
Standard-Verpackung:
1000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-07-31
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN