BCP5616TA

Symbol Micros: TBCP5616 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5616TA RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2349 0,1176 0,0702 0,0580 0,0522
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5616TA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
1204000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0522
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BCP5616TA Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
302000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0522
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN