BCV27,215
Symbol Micros:
TBCV27
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 220MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,2A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BCV27 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
210 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2134 | 0,1081 | 0,0656 | 0,0521 | 0,0474 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BCV27E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0474 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BCV27,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0474 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BCV27,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0474 |
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 220MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 20000 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1,2A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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