BCV47 smd BCV47TA BCV47E6327HTSA1 BCV47E6327XT
Symbol Micros:
TBCV47
Gehäuse: SOT23
darl.NPN 0,5A 60V 200mW 200MHz darl.NPN 0,5A 60V 200mW 200MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 360mW |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-10-30
Anzahl Stück: 6000
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-04-30
Anzahl Stück: 6000
| Verlustleistung: | 360mW |
| Grenzfrequenz: | 170MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 10000 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 60V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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