BD136-16 JSMICRO

Symbol Micros: TBD13616 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
PNP-Transistor; 250; 1,25W; 45V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD13616S; BD13616STU; BD136-16-BP; BD136-16-CDI;
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD136-16 RoHS Gehäuse: TO126  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2452 0,1347 0,0892 0,0743 0,0698
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP