BD139-16

Symbol Micros: TBD13916
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD139-16 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 350+ 1750+
Nettopreis (EUR) 0,2692 0,1718 0,1210 0,1023 0,0976
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Standard-Verpackung:
50
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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