BD911 JSMICRO

Symbol Micros: TBD911 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 90W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD911 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6200 0,3931 0,3089 0,2808 0,2691
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Standard-Verpackung:
50/200
Verlustleistung: 90W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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