BSS131H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSS131
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 20 Ohm; 110mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131 H6327; BSS131;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 20Ohm |
Max. Drainstrom: | 110mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 240V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2575 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2419 | 0,1229 | 0,0745 | 0,0590 | 0,0538 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1500000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0538 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
573000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0538 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
243600 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0566 |
Widerstand im offenen Kanal: | 20Ohm |
Max. Drainstrom: | 110mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 240V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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