BSS83P JSMICRO
Symbol Micros:
TBSS83p JSM
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 330mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 330mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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