BSS83P JSMICRO

Symbol Micros: TBSS83p JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS83P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2274 0,0910 0,0529 0,0441 0,0413
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD