BSS83P JSMICRO

Symbol Micros: TBSS83p JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSS83P RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2302 0,0921 0,0535 0,0446 0,0418
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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