BT139-800E
Symbol Micros:
TR016bt139-800e
Gehäuse: TO220
Triac; Es = 16a; Vdrm = 800 V; IGT = 70 mA
Parameter
Gehäuse: | TO220 |
Strom: | 16A |
Gatestrom: | 70mA |
Spannung: | 800V |
Typ des Thyristors: | Triac |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BT139-800E RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8105 | 0,5131 | 0,4052 | 0,3693 | 0,3525 |
Hersteller: WEEN
Hersteller-Teilenummer: BT139-800E,127
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
7000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3525 |
Hersteller: WEEN
Hersteller-Teilenummer: BT139-800E,127
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
5828 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3525 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-03-07
Anzahl Stück: 1000
Gehäuse: | TO220 |
Strom: | 16A |
Gatestrom: | 70mA |
Spannung: | 800V |
Typ des Thyristors: | Triac |
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