SMD-Leistungsinduktivität; 10 uH

Symbol Micros: D DL4N-10
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Gehäuse: Rys.DL4N
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SMD-Leistungsinduktivität; Induktivität: 10uH; 20 %; Strom: 1A; Widerstand: 286 mR; Abmessungen: 4,5x3,2x2,6mm
Parameter
Abmessungen: 4.5x3.2x2.6mm
Induktivität: 10uH
Drossel-Typ: Leistung
Hersteller: N/A
Montage: SMD
Strom: 1A
Widerstand: 0,286 Ohm
Hersteller: PASSIVE TECH Hersteller-Teilenummer:   Gehäuse: Rys.DL4N  
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Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3302 0,1835 0,1450 0,1316 0,1273
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Standard-Verpackung:
500/4000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-05
Anzahl Stück: 1000
Abmessungen: 4.5x3.2x2.6mm
Induktivität: 10uH
Drossel-Typ: Leistung
Hersteller: N/A
Montage: SMD
Strom: 1A
Widerstand: 0,286 Ohm
Toleranz: 20%

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