SMD-Leistungsinduktivität; 100 uH
Symbol Micros:
D DL4N-100
Gehäuse: Rys.DL4N
SMD-Leistungsinduktivität; Induktivität: 100 uH; 20 %; Strom: 360mA; Widerstand: 2,21R; Abmessungen: 4,5x3,2x2,6mm
Parameter
Abmessungen: | 4.5x3.2x2.6mm |
Induktivität: | 100uH |
Drossel-Typ: | Leistung |
Hersteller: | N/A |
Montage: | SMD |
Strom: | 0,36A |
Widerstand: | 2,21 Ohm |
Abmessungen: | 4.5x3.2x2.6mm |
Induktivität: | 100uH |
Drossel-Typ: | Leistung |
Hersteller: | N/A |
Montage: | SMD |
Strom: | 0,36A |
Widerstand: | 2,21 Ohm |
Toleranz: | 20% |
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