DB3 LGE

Symbol Micros: DDB3 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DO35amm
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bidirektional; Itrm=2A; Vbo=32V; Vo=5V; DB3-LGE
Parameter
Gehäuse: DO35amm
Hersteller: LGE
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 125°C
Vorwärtsstrom: 2A
Typ des Thyristors: Diak
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: DB3 RoHS Gehäuse: DO35amm Datenblatt
Auf Lager:
10994 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0773 0,0297 0,0170 0,0124 0,0111
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Standard-Verpackung:
5000/30000
Gehäuse: DO35amm
Hersteller: LGE
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 125°C
Vorwärtsstrom: 2A
Typ des Thyristors: Diak

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