DMG1012T-7
Symbol Micros:
TDMG1012T-7
Gehäuse: SOT523
N-MOSFET 20V; 0.45A; 0.28W; 2kV; -55..+150°C
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 700mOhm |
Max. Drainstrom: | 630mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 280mW |
Gehäuse: | SOT523 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 700mOhm |
Max. Drainstrom: | 630mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 280mW |
Gehäuse: | SOT523 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 6V |
Montage: | SMD |
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