DMG1012UW-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMG1012uw
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 750 mOhm; 1A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 290mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1012UW-7 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10500 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1387 | 0,0659 | 0,0371 | 0,0283 | 0,0252 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1012UW-7
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
2838000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0277 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1012UW-7
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
4412 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2273 |
Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
Max. Drainstrom: | 1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 290mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 6V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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