1N5407 DO27 LGE

Symbol Micros: DP 1N5407 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DO27
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3A; 800V; Verpackung: Munition;

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Parameter
Gehäuse: DO27
Spannung: 800V
Vorwärtsstrom: 3A
Hersteller: LGE
Montage: THT
Typ: Dioda prostownicza
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 1N5407 RoHS Gehäuse: DO27amm Datenblatt
Auf Lager:
970 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1250+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1799 0,0720 0,0418 0,0343 0,0327
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Standard-Verpackung:
1250
Gehäuse: DO27
Spannung: 800V
Vorwärtsstrom: 3A
Hersteller: LGE
Montage: THT
Typ: Dioda prostownicza

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