Gleichrichterdiode FEP30DP
Symbol Micros:
DP FEP30DP
Gehäuse: TO 3P
30A; 200V; ultraschnell
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Gehäuse: | TO 3P |
| Spannung: | 200V |
| Vorwärtsstrom: | 30A |
| Hersteller: | VISHAY |
| Montage: | THT |
| Typ: | Dioda prostownicza |
Hersteller: General Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FEP30DP-E3/45 RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
18 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8132 | 1,4394 | 1,3015 | 1,2291 | 1,2080 |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Spannung: | 200V |
| Vorwärtsstrom: | 30A |
| Hersteller: | VISHAY |
| Montage: | THT |
| Typ: | Dioda prostownicza |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole