EL357N(B) Everlight
Symbol Micros:
OOPC357nb EVL
Gehäuse: SOP04
Einzel-CTR 130-260 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor EL357N-G EL357N(B)(TA)-G
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Parameter
| Klickrate (CTR): | 130%~260% |
| Gehäuse: | SOP04 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 3750V |
| Ausgangsspannung: | 80V |
Hersteller: EVERLIGHT
Hersteller-Teilenummer: EL357N(B)(TA)-G RoHS
Gehäuse: SOP04 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
250 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2169 | 0,1186 | 0,0778 | 0,0672 | 0,0619 |
Hersteller: EVERSPIN
Hersteller-Teilenummer: EL357N(B)(TA)-G
Gehäuse: SOP04
Externes Lager:
1425 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0951 |
| Klickrate (CTR): | 130%~260% |
| Gehäuse: | SOP04 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 3750V |
| Ausgangsspannung: | 80V |
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Standard-Verpackung: 3000
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Standard-Verpackung: 3000
Menge (Vielfache 1)
Artikel auf Anfrage erhältlich
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