EL817(B)-F

Symbol Micros: OOPC817b EVL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Einzel-CTR 130-260 % ​​Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Äquivalent: LTV817B; PC817B; EL817(B)-F; EL817B;

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Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: EVERLIGHT Hersteller-Teilenummer: EL817(B)-F RoHS Gehäuse: PDIP04 Datenblatt
Auf Lager:
4502 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,1532 0,0726 0,0408 0,0309 0,0278
Standard-Verpackung:
100/2500
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-02-28
Anzahl Stück: 10000
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V