FDD8896 TO252(DPAK)
Symbol Micros:
TFDD8896 c
Gehäuse: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9,2mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: YFW100N03AD;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 9,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 94A |
Maximaler Leistungsverlust: | 80W |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 9,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 94A |
Maximaler Leistungsverlust: | 80W |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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