FDV304P UMW

Symbol Micros: TFDV304p UMW

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 120 mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDV304P Onsemi;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: FDV304P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1916	0,0909	0,0512	0,0388	0,0348

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD