FMMT458 GALAXY

Symbol Micros: TFMMT458 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 500mW
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 50MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 225mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: FMMT458 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2424 0,1207 0,0720 0,0597 0,0536
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 500mW
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 50MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 225mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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