FOD814AS

Symbol Micros: OOPC814as FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 50-150 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD814ASD

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Parameter
Klickrate (CTR): 50-150%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 15+ 63+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9254 0,6807 0,5222 0,4662 0,4406
Standard-Verpackung:
3
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD RoHS Gehäuse: PDIP04smd  
Auf Lager:
77 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 97+ 485+
Nettopreis (EUR) 0,9254 0,6154 0,5082 0,4592 0,4406
Standard-Verpackung:
97
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD814ASD Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
58000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,4406
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 50-150%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V