FOD817AS

Symbol Micros: OOPC817as FAI

Gehäuse: PDIP04smd

Einzel CTR 80-160 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817ASD

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Parameter

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817AS RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6648	0,4181	0,3453	0,3077	0,2889

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817AS Gehäuse: PDIP04smd

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2889

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817ASD Gehäuse: PDIP04smd

Externes Lager:

270000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2889

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817ASD Gehäuse: PDIP04smd

Externes Lager:

13000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2889

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2866	0,1388	0,0949	0,0841	0,0820

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2607	0,1308	0,0780	0,0646	0,0580

Anzahl Stück	5+	20+	100+	400+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,1999	0,1008	0,0604	0,0486	0,0444