FOD817BS

Symbol Micros: OOPC817bs FAI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 130-260 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817BSD
Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817BS RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2757 0,1465 0,1137 0,1048 0,1005
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FOD817BS Gehäuse: PDIP04smd  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1005
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 70V