FOD817BS
Symbol Micros:
OOPC817bs FAI
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 130-260 % Vce 70 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor FOD817BSD
Parameter
Klickrate (CTR): | 130-260% |
Gehäuse: | PDIP04smd |
Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
Isolationsspannung: | 5000V |
Ausgangsspannung: | 70V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817BS RoHS
Gehäuse: PDIP04smd
Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2757 | 0,1465 | 0,1137 | 0,1048 | 0,1005 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FOD817BS
Gehäuse: PDIP04smd
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1005 |
Klickrate (CTR): | 130-260% |
Gehäuse: | PDIP04smd |
Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
Isolationsspannung: | 5000V |
Ausgangsspannung: | 70V |
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