IRF1010E
Symbol Micros:
TIRF1010
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010EPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 84A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
375 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 350+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1485 | 0,7617 | 0,5872 | 0,5542 | 0,5471 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
9377 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5471 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5934 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 84A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Ähnliche Produkte
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
IRF1010E RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
80 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,8679 | 0,6367 | 0,5094 | 0,4386 | 0,4127 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole