IRF1010E

Symbol Micros: TIRF1010
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
385 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
Nettopreis (EUR) 1,1600 0,7679 0,5917 0,5589 0,5518
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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