IRF1010E

Name: TIRF1010 TIRF1010
Brand: International Rectifier
SKU: TIRF1010
Price: 0.7270 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF1010

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010EPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	84A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

345 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	350+
Nettopreis (EUR)	1,1420	0,7574	0,5839	0,5510	0,5440

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5954

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

6635 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5440

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	84A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8629	0,6331	0,5065	0,4361	0,4104