IRF1018EPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF1018e MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRF1018EPBF; SP001574502;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8594 0,5441 0,4297 0,3923 0,3736
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole